관리자님의 답변 글들은 다 잘 읽어보았습니다.
IGBT 구동관련에 대해 몇가지 궁금한게 있습니다.

첫번째로,
게이트쪽에 10~20옴의 저항을 삽입하는 이유가 궁금합니다.
즉 입력임피던스가 어차피 무한대인데 저항삽입이 무슨 의미가 있나 하는 겁니다.

두번째로,
'전압은 20VDC' 라는 말씀은 C-E간을 도통시키기위한 최소한의 공급전압인지요. 만약 그렇다면 12VDC는 구동을 못하겠네요.

세번째로,
입력임피던스가 높기는 MOSFET도 마찬가지인데 종단 드라이버단구성시 IGBT로 할것인지 MOSFET로 할것인지에서 디바이스를 결정짓게되는 기준은 무엇인지요. 혹시 IGBT가 MOSFET보다 대전력구동용량이 훨씬 높은가요?

네번째로,
제가 MOSFET로 풀 브릿지 드라이버를 구성중 게이트 오픈된상태에서 전원투입시 FET가 자꾸 망가지길래, 게이트 입력단에 10K의 풀다운 저항을 달아 놓았더니 이젠 오픈되어도 풀다운은 계속 달려있으므로 망가지지 않았습니다.(전단 드라이브와 종단드라이브는 컨넥터 처리되어있으므로 분리가능했었습니다)
그런데 대부분의 비슷한 회로들을 많이 보았습니다만 종단드라이브 입력에 풀다운은 달려있지 않은경우가 많았는데, 이를 개발자가 간과했을리도 없을테고.... 혹시 전원투입상태에서는 분리하지 않는다는 전제하에 설계되어서일까요? 그럼 제가 저항10K를 단게 잘 한걸까요? 물론 게이트입력용 드라이브신호는 풀다운을 무시할 정도로 충분합니다.

마지막으로,
보통의 트랜지스터는 베이스전류의 크기에따라 엑티브영역에서 포화영역까지 입력에 비례한 출력 신호를 내는데, IGBT는 입력전압(전압구동이므로)의 높고 낮음에 관계없이 게이트전압이 IGBT를 구동시키는 범위에 드는 즉시 곧바로 도통이 되는지요. 즉 출력이 입력에 신호의 크기에 비례하거나 하지않고 오로지 '온/오프'라는 스위칭만을 하게 되는지요?

IGBT에 대해 궁금한게 많던차에 이곳을 알게 되었고 그래서 질문을 드리게 됐습니다. 건강하세요...