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> 관리자님의 답변 글들은 다 잘 읽어보았습니다.
> IGBT 구동관련에 대해 몇가지 궁금한게 있습니다.
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> 첫번째로,
> 게이트쪽에 10~20옴의 저항을 삽입하는 이유가 궁금합니다.
> 즉 입력임피던스가 어차피 무한대인데 저항삽입이 무슨 의미가 있나 하는 겁니다.
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> 두번째로,
> '전압은 20VDC' 라는 말씀은 C-E간을 도통시키기위한 최소한의 공급전압인지요. 만약 그렇다면 12VDC는 구동을 못하겠네요.
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> 세번째로,
> 입력임피던스가 높기는 MOSFET도 마찬가지인데 종단 드라이버단구성시 IGBT로 할것인지 MOSFET로 할것인지에서 디바이스를 결정짓게되는 기준은 무엇인지요. 혹시 IGBT가 MOSFET보다 대전력구동용량이 훨씬 높은가요?
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> 네번째로,
> 제가 MOSFET로 풀 브릿지 드라이버를 구성중 게이트 오픈된상태에서 전원투입시 FET가 자꾸 망가지길래, 게이트 입력단에 10K의 풀다운 저항을 달아 놓았더니 이젠 오픈되어도 풀다운은 계속 달려있으므로 망가지지 않았습니다.(전단 드라이브와 종단드라이브는 컨넥터 처리되어있으므로 분리가능했었습니다)
> 그런데 대부분의 비슷한 회로들을 많이 보았습니다만 종단드라이브 입력에 풀다운은 달려있지 않은경우가 많았는데, 이를 개발자가 간과했을리도 없을테고.... 혹시 전원투입상태에서는 분리하지 않는다는 전제하에 설계되어서일까요? 그럼 제가 저항10K를 단게 잘 한걸까요? 물론 게이트입력용 드라이브신호는 풀다운을 무시할 정도로 충분합니다.
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> 마지막으로,
> 보통의 트랜지스터는 베이스전류의 크기에따라 엑티브영역에서 포화영역까지 입력에 비례한 출력 신호를 내는데, IGBT는 입력전압(전압구동이므로)의 높고 낮음에 관계없이 게이트전압이 IGBT를 구동시키는 범위에 드는 즉시 곧바로 도통이 되는지요. 즉 출력이 입력에 신호의 크기에 비례하거나 하지않고 오로지 '온/오프'라는 스위칭만을 하게 되는지요?
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> IGBT에 대해 궁금한게 많던차에 이곳을 알게 되었고 그래서 질문을 드리게 됐습니다. 건강하세요...
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안녕하세요..

많은 질문을 한꺼번에 하셨군요... 오늘 티비 봤는데 미국과 비겼네요. 티비 보느라고 밀린 작업땜에 한참 바쁘네요.. 일단 차례대로 말씀드리겠습니다.

첫번째의 게이트 저항문제인데..이론상 게이트측의 입력임피이던스는 무한대 입니다. 하지만 입력용량(Cies)이 게이트와 에미터간에 있습니다. 입력측에 있다는 애깁니다.게이트 Charge용량과 콜렉타에미터간 전압과 게이트에미터간 전압의 상관관계가 일반적인 데이타에 그래프로 나와있습니다.
당연히 게이트저항은 게이트 용량이 있기 때문에 달게 되는겁니다. 턴온시와 턴오프시에 영향을 최소화 하기위함이죠.. 데이터에 나와있는것을 정확한 수치로 설명을 했으면 좋겠는데 시간도 없고 제가 설명을 상세하게 하려면 많은 데이타를 보고 여기에 기록을 해야 하기때문에 나머지는 직접 공부를 하시고 이해 하시길 부탁드립니다.

두번째는 최소 게이트 전압이 20V라는것이 아니고 데이타에 나와있는 가장 효과적인(적정한) 게이트 전압이란 애깁니다. 15VDC(-측 5V,+측10)로도 잘 동작합니다.하지만 구동 전류용량이 늘어나면 satulation(포화전압)전압이 높아지고 손실이 심해지고 따라서 발열도 많아집니다. 반대로 높아도 마찬가지의 동작이 되기때문에 가장 적정한 전압이(메이커측에서 요구하는) 20V입니다(후지IGBT기준/-6DC 포함)- 참고로 1VDC로도 동작이 될겁니다.

세번째는 IGBT는 FET와 Power TR의 장점만 모아서 제작된겁니다. FET를 대전력용으로 만든겁니다. 입력임피이던스는 드라이브 관계로 FET장점을.. 출력은 POWER TR의 출력 대전력용의 장점을 ...
저의 경우는 30A이하에는 주로 FET를 사용, 50A 이상은 IGBT Module를 사용합니다. 전압도 주로 200V이하는 FET, 300V이상은 IGBT를 사용했습니다. 제 기준은 약 6년전 기준이므로 요즘 새로운 소자가 있으면 또 달라지겠지요..제 기준은 단지 참고만 하시길 바랍니다.-옛날 사람입니다-

풀다운 저항은 다는것이 좋습니다. 자주 나갈수가 있습니다. IGBT도 풀다운 저항을 다는경우가 많습니다. 과거에는 달지 않았는데 왜 안달았는지는 잘 모르겠네요..원래는 소자특성상 무한대의 임피이던스를 기준으로 설계를 한다면 달지 말아야 되지만 기본적인 설계에서는 다는것으로 인한 손실은 거의 없는것으로 볼수 있을것 같은데요..아무튼 반드시 다는것이 좋습니다.(스위칭 주파수가 높지않으면)

마지막 답변으로... 맞습니다. IGBT는 스위칭 소자입니다. 액티브한 곡선이 없습니다. 물론 게이트 시그날에 따라 출력은 턴온타임과 턴 오프타임이 있지만 그것은 단순히 규정된 전압을 인가할때 90%까지 출력전류가 도달(메이커마다 다름)할때 까지의 타임입니다. 데이타를 보시면 나와 있습니다. - 아무튼 스위칭소자입니다. - 그래서 고속으로 스위칭이 가능한겁니다. 예전 POWER TR은 약 10KHz(기본 발진주파수: PWM)정도까지만 가능했지만 IGBT는 현재 약 50KHz까지 적용하는것을 봤습니다. 단순스위칭인경우에는 더 높은 주파수도 가능합니다.

답변이 대략되었나요... 제가 앞에서도 언급했지만 이젠 점점 개발과는 거리가 있는 일을 하다보니 예전 경험이나 반도체를 기준으로 말씀드리게 되어서 걱정됩니다만 단순히 참고만 하시고 더 좋은 반도체나 기타 기술적인것이 있으면 많이 보시고 습득하시기 바랍니다.

감사합니다. 미국과 1:1로 비겼지만 재미있는 경기라 후련하네요.. 좋은 하루 되시길....