안녕하세요.
이메일로 점검방법을 문의하여 여기에 기록합니다.

현장에서 IGBT를 점검할 경우에는 반드시 Collector와 Emiter에 연결되어
있는 배선이나 부품을 분리하여 점검하여야 합니다.

Transistor Module경우에는 C-E 분리하지 않고 베이스와 에미터간의 측정
이 가능하였으나 IGBT인 경우에는 C-E간에 작은 전압이 잔존한 상태에서
Gate와 Emiter를 오븐하면 100% IGBT가 소손됩니다.

입력임피이던스가 무한대이므로 약간의 전위에서도 손상이 가는 반도체
모듈이 IGBT입니다.
운반하거나 보관시에도 Gate와 Emiter간에 도체로 쇼트하는것이 좋습니다.
정전기에도 손상을 입을수도 있습니다만 현재까지 정전기로 모듈이 손상
된 경우는 없었습니다(경험상)

현장에서는 간혹 CE간이 부착되어있는 상태에서 Gate와 Emiter를 분리하
여 측정하지만 그 순간에 벌써 IGBT는 소손됩니다. 수리하려고 측정하는
순간에 파손되기때문에 전체의 원인파악자체가 어렵게 됩니다.

고장확인 방법은 Analog Multitester의 약1000X Range로 Gate-Emiter간
측정하면 저항값은 무한대 입니다. 물론 10000 Range에도 무한대로
나와야 하지만 간혹 습기관계로 수Mega Ohm정도가 나올수 있습니다.

양쪽 방향으로 측정해서 전혀 바늘이 움직이지 않으면 정상입니다.
물론 외형이 금이 갔다든지 파손된 흔적이 있는 경우는 제외하고 모듈인
경우 Gate-Emiter간 양방향 모두 무한대가 나오면 정상인 모듈로 보시면
됩니다.

IGBT Module고장은 주로 드라이브 보드와 메인 휴즈가 같이 파손
되는것이 일반적입니다. 그래서 IGBT 교체할때에는 이 드라이브와 휴즈는
동시에 갈아야 되는것으로 보면 됩니다.

이상 간단하게 기록했습니다.
홈페이지 내용에 사진을 같이 삽입하여 작성준비를 하고 있습니다만
현재 시간및 기타 주위여건이 따르질 않네요.

그럼........